通用MOSFET
欢迎进入业界最先进的标准MOS产品阵营之一，并试用可靠且易用的MOSFET器件。对于空间和功率因素至关重要的应用，这些器件堪称理想选择。例如，我们的LFPAK功率MOSFET系列拥有超低导通电阻RDSon、高速开关能力以及最高达200 V的电压额定值。
TrenchMOS技术创新
恩智浦致力于开发和创新，持续改善导通电阻RDSon、开关速度和热效率等关键参数，从而推出具有世界领先水平的MOSFET器件。
功率设计提升可靠性
功率设计工程师在保护其所在公司的品质声誉方面发挥着至关重要的作用——只需询问任何电子维修中心有多少现场故障与功率元件相关即可。选择可靠的功率MOSFET尤其关键。这类高级器件需要连续开关数十安培的电流，结果产生的结温可能损坏许多其他元器件。此类极端工作条件会使MOSFET封装的散热性和机械性能受到限制。
微型世界中更加突出的挑战
微型化（即将更多功能集成到更小空间的做法）趋势永无止境。这种趋势对MOSFET封装提出了严格的要求，需要可靠处理系统功率要求，同时还要将所需的PCB空间降至最低。面对这一挑战，恩智浦迎面而上，推出了“最牢固的Power-S08封装”，这就是LFPAK56。现在，我们再创佳绩，推出了LFPAK33封装。更小但更牢固。
专为提高可靠性而设计的LFPAK33
LFPAK33采用自下而上的设计方法，是超可靠的功率解决方案。例如，与粘接和焊线相关的折衷不见踪影：恩智浦为源极和栅极采用的芯片焊接和铜夹片技术可以支持高达175 C的结温，达到市场领先水平。 另外，LFPAK33的独特结构允许裸露的源极引脚和栅极引脚“收缩”并安全承受热应力和机械应力。对于QFN或微引脚器件，类似应力则可能造成焊点失效或塑料壳开裂，导致防潮功能失效和污染，最终造成器件故障。
兼容性问题
恩智浦的LFPAK33完全兼容主要竞争产品（QFN3333类）的布局和焊面积。另外还兼容自动目视检测系统，可与竞争对手的QFN器件共同工作。恩智浦还开发了‘通用型’3.3 x 3.3 mm封装，使工程师能构建出支持LFPAK33和竞争产品的设计，从而为多源采购战略提供全面支持。
多种封装选择
对于视导通电阻RDSon 为关键因素的应用，我们品种齐全的MOSFET可采用各种不同的封装，包括QFN3333、LFPAK、SO8、DPAK、SOT23和TO-220。
