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BLF6G10LS-135RN,11
制造厂商：NXP（恩智浦半导体）
类别封装：RF场效应管，SOT502B
技术参数：TRANSISTOR POWER LDMOS SOT502B
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技术参数详情：
NXP恩智浦完整型号：BLF6G10LS-135RN,11制造商：NXP（恩智浦半导体）描述：TRANSISTOR POWER LDMOS SOT502B系列：-晶体管类型：LDMOS频率：871.5MHz ~ 891.5MHz增益：21dB电压 - 测试：28V额定电流：32A噪声系数：-电流 - 测试：950mA功率 - 输出：26.5W电压 - 额定：65V封装/外壳：SOT-502B供应商器件封装：SOT502B现在可以订购BLF6G10LS-135RN,11，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
