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BLF8G24L-200P,118
制造厂商：NXP（恩智浦半导体）
类别封装：RF场效应管，SOT539A
技术参数：TRANSISTOR RF POWER 200W LDMOST
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技术参数详情：
NXP恩智浦完整型号：BLF8G24L-200P,118制造商：NXP（恩智浦半导体）描述：TRANSISTOR RF POWER 200W LDMOST系列：-晶体管类型：LDMOS（双）频率：2.3GHz ~ 2.4GHz增益：16.5dB电压 - 测试：28V额定电流：-噪声系数：-电流 - 测试：1.4A功率 - 输出：60W电压 - 额定：68V封装/外壳：SOT539A供应商器件封装：SOT539A现在可以订购BLF8G24L-200P,118，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
