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BLP05H6350XRY
制造厂商：NXP（恩智浦半导体）
类别封装：RF FET，SOT-1223-2
技术参数：POWER LDMOS TRANSISTOR
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技术参数详情：
NXP恩智浦完整型号: BLP05H6350XRY制造商：NXP（恩智浦半导体）功能总体简述: POWER LDMOS TRANSISTOR系列: -晶体管类型: LDMOS（双），共源电压 - 集射极击穿（最大值）: -频率: 108MHz增益: 27dB频率 - 跃迁: -噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）: -电压 - 测试: 50V额定电流: -功率 - 最大值: -噪声系数: -不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）: -电流 - 测试: 100mA功率 - 输出: 350W电流 - 集电极（Ic）（最大值）: -安装类型: -电压 - 额定: 135V封装/外壳: SOT-1223-2供应商器件封装: 现在可以订购BLP05H6350XRY，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
