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BLS6G2731-6G,112
制造厂商：NXP（恩智浦半导体）
类别封装：RF场效应管，SOT975C
技术参数：TRANS S-BAND PWR LDMOS SOT975C
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技术参数详情：
NXP恩智浦完整型号：BLS6G2731-6G,112制造商：NXP（恩智浦半导体）描述：TRANS S-BAND PWR LDMOS SOT975C系列：-晶体管类型：LDMOS频率：2.7GHz ~ 3.1GHz增益：15dB电压 - 测试：32V额定电流：3.5A噪声系数：-电流 - 测试：25mA功率 - 输出：6W电压 - 额定：60V封装/外壳：SOT-975C供应商器件封装：SOT975C现在可以订购BLS6G2731-6G,112，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
