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BSP220,115
制造厂商：NXP（恩智浦半导体）
类别封装：单端场效应管，SC-73
技术参数：MOSFET P-CH 200V 225MA SOT223
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技术参数详情：
NXP恩智浦完整型号：BSP220,115制造商：NXP（恩智浦半导体）描述：MOSFET P-CH 200V 225MA SOT223系列：-FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物FET 功能：逻辑电平门漏源极电压 (Vdss)：200V电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：225mA（Ta）不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：12 欧姆 @ 200mA，10V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2.8V @ 1mA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：-不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：90pF @ 25V功率 - 最大值：1.5W安装类型：表面贴装封装/外壳：TO-261-4，TO-261AA供应商器件封装：SC-73现在可以订购BSP220,115，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
