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BSP250,115 | NXP恩智浦 | 单端场效应管 | MOSFET P-CH 30V 3A SOT223
BSP250,115
  • 制造厂商:NXP(恩智浦半导体)
  • 类别封装:单端场效应管,SC-73
  • 技术参数:MOSFET P-CH 30V 3A SOT223
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    专营NXP芯片半导体
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    技术参数详情:
  • NXP恩智浦完整型号:BSP250,115
  • 制造商:NXP(恩智浦半导体)
  • 描述:MOSFET P-CH 30V 3A SOT223
  • 系列:-
  • FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物
  • FET 功能:逻辑电平门
  • 漏源极电压 (Vdss):30V
  • 电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):3A(Tc)
  • 不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):250 毫欧 @ 1A,10V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.8V @ 1mA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):25nC @ 10V
  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):250pF @ 20V
  • 功率 - 最大值:1.65W
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:TO-261-4,TO-261AA
  • 供应商器件封装:SC-73
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