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BSS84AKMB,315
制造厂商：NXP（恩智浦半导体）
类别封装：单端场效应管，3-DFN1006B
技术参数：MOSFET P-CH 50V 230MA 3DFN
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技术参数详情：
NXP恩智浦完整型号：BSS84AKMB,315制造商：NXP（恩智浦半导体）描述：MOSFET P-CH 50V 230MA 3DFN系列：-FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物FET 功能：逻辑电平门漏源极电压 (Vdss)：50V电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：230mA（Ta）不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：7.5 欧姆 @ 100mA，10V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2.1V @ 250μA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：0.35nC @ 5V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：36pF @ 25V功率 - 最大值：360mW安装类型：表面贴装封装/外壳：3-XFDFN供应商器件封装：3-DFN1006B（0.6x1）现在可以订购BSS84AKMB,315，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
