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BST82,215
制造厂商：NXP（恩智浦半导体）
类别封装：单端场效应管，SOT-23
技术参数：MOSFET N-CH 100V 190MA SOT-23
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技术参数详情：
NXP恩智浦完整型号：BST82,215制造商：NXP（恩智浦半导体）描述：MOSFET N-CH 100V 190MA SOT-23系列：TrenchMOS?FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物FET 功能：逻辑电平门漏源极电压 (Vdss)：100V电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：190mA（Ta）不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：10 欧姆 @ 150mA，5V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2V @ 1mA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：-不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：40pF @ 10V功率 - 最大值：830mW安装类型：表面贴装封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3供应商器件封装：SOT-23 (TO-236AB)现在可以订购BST82,215，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
