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BUK6E2R0-30C,127
制造厂商：NXP（恩智浦半导体）
类别封装：单端场效应管，I2PAK
技术参数：MOSFET N-CH TRENCH I2PAK
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技术参数详情：
NXP恩智浦完整型号：BUK6E2R0-30C,127制造商：NXP（恩智浦半导体）描述：MOSFET N-CH TRENCH I2PAK系列：TrenchMOS?FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物FET 功能：标准漏源极电压 (Vdss)：30V电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：120A（Tc）不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：2.2 毫欧 @ 25A，10V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2.8V @ 1mA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：229nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：14964pF @ 25V功率 - 最大值：306W安装类型：通孔封装/外壳：TO-262-3，长引线，I2Pak，TO-262AA供应商器件封装：I2PAK现在可以订购BUK6E2R0-30C,127，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
