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BUK969R3-100E,118
制造厂商：NXP（恩智浦半导体）
类别封装：单端场效应管，D2PAK
技术参数：MOSFET N-CH 100V 100A D2PAK
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技术参数详情：
NXP恩智浦完整型号：BUK969R3-100E,118制造商：NXP（恩智浦半导体）描述：MOSFET N-CH 100V 100A D2PAK系列：TrenchMOS?FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物FET 功能：逻辑电平门漏源极电压 (Vdss)：100V电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：100A（Tc）不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：8.9 毫欧 @ 25A，10V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2.1V @ 1mA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：94.3nC @ 5V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：11650pF @ 25V功率 - 最大值：263W安装类型：表面贴装封装/外壳：TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB供应商器件封装：D2PAK现在可以订购BUK969R3-100E,118，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
