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BUK9K52-60E,115
制造厂商:NXP(恩智浦半导体)
类别封装:场效应管阵列,LFPAK56D
技术参数:MOSFET 2N-CH 60V 16A LFPAK56D
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技术参数详情:
NXP恩智浦完整型号:BUK9K52-60E,115制造商:NXP(恩智浦半导体)描述:MOSFET 2N-CH 60V 16A LFPAK56D系列:TrenchMOS?FET 类型:2 个 N 沟道(双)FET 功能:逻辑电平门漏源极电压 (Vdss):60V电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):16A不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):49 毫欧 @ 5A,10V不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.1V @ 1mA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):10nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):725pF @ 25V功率 - 最大值:32W安装类型:表面贴装封装/外壳:SOT-1205, 8-LFPAK56供应商器件封装:LFPAK56D现在可以订购BUK9K52-60E,115,国内库存当天发货,国外库存7-10天内发货。