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BZT52H-B8V2,115
制造厂商：NXP（恩智浦半导体）
类别封装：单齐纳二极管，SOD-123F
技术参数：DIODE ZENER 8.2V 375MW SOD123F
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技术参数详情：
NXP恩智浦完整型号：BZT52H-B8V2,115制造商：NXP（恩智浦半导体）描述：DIODE ZENER 8.2V 375MW SOD123F系列：-电压 - 齐纳（标称值）(Vz)：8.2V容差：±5%功率 - 最大值：375mW阻抗（最大值）(Zzt)：10 欧姆不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流：700nA @ 5V不同 If 时的电压 - 正向 (Vf)：900mV @ 10mA工作温度：-65°C ~ 150°C安装类型：表面贴装封装/外壳：SOD-123F供应商器件封装：SOD-123F现在可以订购BZT52H-B8V2,115，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
