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PBSS4350SSJ
制造厂商:NXP(恩智浦半导体)
类别封装:晶体管阵列,8-SO
技术参数:TRANS 2NPN 50V 2.7A 8SOIC
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技术参数详情:
NXP恩智浦完整型号:PBSS4350SSJ制造商:NXP(恩智浦半导体)描述:TRANS 2NPN 50V 2.7A 8SOIC系列:-晶体管类型:2 NPN(双)电流 - 集电极 (Ic)(最大值):2.7A电压 - 集射极击穿(最大值):50V不同 Ib、Ic 时的 Vce 饱和值(最大值):340mV @ 270mA,2.7A电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO)不同 Ic、Vce 时的 DC 电流增益 (hFE)(最小值):300 @ 1A,2V功率 - 最大值:750mW频率 - 跃迁:-安装类型:表面贴装封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)供应商器件封装:8-SO现在可以订购PBSS4350SSJ,国内库存当天发货,国外库存7-10天内发货。