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PDTD123TT,215
制造厂商:NXP(恩智浦半导体)
类别封装:单路﹐预偏压式晶体管,SOT-23
技术参数:TRANS PREBIAS NPN 250MW TO236AB
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技术参数详情:
NXP恩智浦完整型号:PDTD123TT,215制造商:NXP(恩智浦半导体)描述:TRANS PREBIAS NPN 250MW TO236AB系列:-晶体管类型:NPN - 预偏压电流 - 集电极 (Ic)(最大值):500mA电压 - 集射极击穿(最大值):50V电阻器 - 基底 (R1) (Ω):2.2k电阻器 - 发射极基底 (R2) (Ω):-不同 Ic、Vce 时的 DC 电流增益 (hFE)(最小值):100 @ 50mA,5V不同 Ib、Ic 时的 Vce 饱和值(最大值):300mV @ 2.5mA,50mA电流 - 集电极截止(最大值):500nA频率 - 跃迁:-功率 - 最大值:250mW安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3供应商器件封装:SOT-23 (TO-236AB)现在可以订购PDTD123TT,215,国内库存当天发货,国外库存7-10天内发货。