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PESD5V0R1BSF
制造厂商：NXP（恩智浦半导体）
类别封装：TVS - 二极管，2-XFDFN
技术参数：TVS DIODE 5VWM 9.2VC DSN0603-2
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技术参数详情：
NXP恩智浦完整型号: PESD5V0R1BSF制造商：NXP（恩智浦半导体）功能总体简述: TVS DIODE 5VWM 9.2VC DSN0603-2系列: TrEOS类型: 齐纳单向通道: -双向通道: 1电压 - 反向关态（典型值）: 5V（最小值）电压 - 击穿（最小值）: 6V电压 - 箝位（最大值）@ Ipp: 9.2V（标准）电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）: 15A（100ns）功率 - 峰值脉冲: -电源线路保护: 无应用: 通用不同频率时的电容: 0.1pF @ 1MHz工作温度: -40°C ~ 125°C（TA）安装类型: 表面贴装封装/外壳: 2-XFDFN供应商器件封装: DSN0603-2现在可以订购PESD5V0R1BSF，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
