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PHK04P02T,518
制造厂商：NXP（恩智浦半导体）
类别封装：单端场效应管，8-SO
技术参数：MOSFET P-CH 16V 4.66A 8-SOIC
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技术参数详情：
NXP恩智浦完整型号：PHK04P02T,518制造商：NXP（恩智浦半导体）描述：MOSFET P-CH 16V 4.66A 8-SOIC系列：-FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物FET 功能：逻辑电平门漏源极电压 (Vdss)：16V电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：4.66A（Tc）不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：120 毫欧 @ 1A，4.5V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：600mV @ 1mA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：7.2nC @ 4.5V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：528pF @ 12.8V功率 - 最大值：5W安装类型：表面贴装封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商器件封装：8-SO现在可以订购PHK04P02T,518，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
