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PHN210,118
制造厂商：NXP（恩智浦半导体）
类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列，封装：8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
技术参数：MOSFET 2N-CH 30V 8SOIC
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技术参数详情：
制造商产品型号：PHN210,118制造商：NXP（恩智浦半导体）描述：MOSFET 2N-CH 30V 8SOIC系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列产品系列：TrenchMOS?零件状态：停产FET类型：2 N-通道（双）FET功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）：30V25°C时电流-连续漏极(Id)：-不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：100 毫欧 @ 2.2A，10V不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.8V @ 1mA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：6nC @ 10V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：250pF @ 20V功率-最大值：2W工作温度：-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装：8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）现在可以订购PHN210,118，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
