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PMCXB900UE
制造厂商:NXP(恩智浦半导体)
类别封装:场效应管阵列,6-DFN
技术参数:MOSFET N/P-CH 20V 6DFN
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技术参数详情:
NXP恩智浦完整型号:PMCXB900UE制造商:NXP(恩智浦半导体)描述:MOSFET N/P-CH 20V 6DFN系列:TrenchFETFET 类型:N 和 P 沟道互补型FET 功能:逻辑电平门漏源极电压 (Vdss):20V电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):600mA,500mA不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):620 毫欧 @ 600mA, 4.5V不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):950mV @ 250μA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):0.7nC @ 4.5V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):21.3pF @ 10V功率 - 最大值:265mW安装类型:表面贴装封装/外壳:6-XFDFN 裸露焊盘供应商器件封装:6-DFN (1.1x1)现在可以订购PMCXB900UE,国内库存当天发货,国外库存7-10天内发货。