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PMDT290UCE,115
制造厂商:NXP(恩智浦半导体)
类别封装:场效应管阵列,SOT-666
技术参数:MOSFET N/P-CH 20V SOT666
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技术参数详情:
NXP恩智浦完整型号:PMDT290UCE,115制造商:NXP(恩智浦半导体)描述:MOSFET N/P-CH 20V SOT666系列:-FET 类型:N 和 P 沟道FET 功能:逻辑电平门漏源极电压 (Vdss):20V电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):800mA,550mA不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):380 毫欧 @ 500mA,4.5V不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):0.95V @ 250μA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):0.68nC @ 4.5V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):83pF @ 10V功率 - 最大值:500mW安装类型:表面贴装封装/外壳:SOT-563,SOT-666供应商器件封装:SOT-666现在可以订购PMDT290UCE,115,国内库存当天发货,国外库存7-10天内发货。