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PMGD290XN,115
制造厂商：NXP（恩智浦半导体）
类别封装：场效应管阵列，6-TSSOP
技术参数：MOSFET 2N-CH 20V 0.86A 6TSSOP
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技术参数详情：
NXP恩智浦完整型号：PMGD290XN,115制造商：NXP（恩智浦半导体）描述：MOSFET 2N-CH 20V 0.86A 6TSSOP系列：TrenchMOS?FET 类型：2 个 N 沟道（双）FET 功能：逻辑电平门漏源极电压 (Vdss)：20V电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：860mA不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：350 毫欧 @ 200mA，4.5V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1.5V @ 250μA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：0.72nC @ 4.5V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：34pF @ 20V功率 - 最大值：410mW安装类型：表面贴装封装/外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363供应商器件封装：6-TSSOP现在可以订购PMGD290XN,115，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
