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PML260SN,118
制造厂商：NXP（恩智浦半导体）
类别封装：单端场效应管，8-DFN3333
技术参数：MOSFET N-CH 200V 8.8A 8HVSON
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技术参数详情：
NXP恩智浦完整型号：PML260SN,118制造商：NXP（恩智浦半导体）描述：MOSFET N-CH 200V 8.8A 8HVSON系列：TrenchMOS?FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物FET 功能：逻辑电平门漏源极电压 (Vdss)：200V电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：8.8A（Tc）不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：294 毫欧 @ 2.6A，10V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 1mA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：13.3nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：657pF @ 30V功率 - 最大值：50W安装类型：表面贴装封装/外壳：8-VDFN 裸露焊盘供应商器件封装：8-DFN3333（3.3x3.3）现在可以订购PML260SN,118，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
