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PMPB27EP,115
制造厂商：NXP（恩智浦半导体）
类别封装：单端场效应管，6-DFN2020MD
技术参数：MOSFET P-CH 30V 6.1A 6DFN
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技术参数详情：
NXP恩智浦完整型号：PMPB27EP,115制造商：NXP（恩智浦半导体）描述：MOSFET P-CH 30V 6.1A 6DFN系列：-FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物FET 功能：逻辑电平门漏源极电压 (Vdss)：30V电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：6.1A（Ta）不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：29 毫欧 @ 6.1A， 10V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250μA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：45nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：1570pF @ 15V功率 - 最大值：1.7W安装类型：表面贴装封装/外壳：6-UDFN 裸露焊盘供应商器件封装：6-DFN2020MD （2x2）现在可以订购PMPB27EP,115，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
