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PMV40UN2R
制造厂商：NXP（恩智浦半导体）
类别封装：单端场效应管，原厂封装
技术参数：MOSFET N-CH 30V 3.7A SOT23
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技术参数详情：
NXP恩智浦完整型号：PMV40UN2R制造商：NXP（恩智浦半导体）描述：MOSFET N-CH 30V 3.7A SOT23系列：-FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物FET 功能：逻辑电平门漏源极电压 (Vdss)：30V电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：3.7A（Ta）不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：44 毫欧 @ 3.7A，4.5V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：900mV @ 250μA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：12nC @ 4.5V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：635pF @ 15V功率 - 最大值：490mW安装类型：*封装/外壳：*供应商器件封装：*现在可以订购PMV40UN2R，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
