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PMXB40UNEZ
制造厂商：NXP（恩智浦半导体）
类别封装：单端场效应管，3-DFN
技术参数：MOSFET N-CH 12V 3.2A DFN1010D-3G
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技术参数详情：
NXP恩智浦完整型号：PMXB40UNEZ制造商：NXP（恩智浦半导体）描述：MOSFET N-CH 12V 3.2A DFN1010D-3G系列：-FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物FET 功能：逻辑电平门漏源极电压 (Vdss)：12V电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：3.2A（Ta）不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：45 毫欧 @ 3.2A， 4.5V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：900mV @ 250μA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：11.6nC @ 4.5V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：556pF @ 10V功率 - 最大值：400mW安装类型：表面贴装封装/外壳：3-XFDFN 裸露焊盘供应商器件封装：3-DFN （1.1x1）现在可以订购PMXB40UNEZ，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
