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PMZ600UNEYL
制造厂商：NXP（恩智浦半导体）
类别封装：单端场效应管，SOT-883
技术参数：MOSFET N-CH 20V 0.6A
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技术参数详情：
NXP恩智浦完整型号：PMZ600UNEYL制造商：NXP（恩智浦半导体）描述：MOSFET N-CH 20V 0.6A系列：-FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物FET 功能：逻辑电平门漏源极电压 (Vdss)：20V电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：600mA（Ta）不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：620 毫欧 @ 600mA， 4.5V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：950mV @ 250μA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：0.7nC @ 4.5V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：21.3pF @ 10V功率 - 最大值：360mW安装类型：表面贴装封装/外壳：SC-101，SOT-883供应商器件封装：SOT-883 （XDFN3） （1x0.6）现在可以订购PMZ600UNEYL，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
