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PMZB200UNEYL
制造厂商：NXP（恩智浦半导体）
类别封装：FET - 单，3-XFDFN
技术参数：MOSFET N-CH 30V SOT883
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技术参数详情：
NXP恩智浦完整型号: PMZB200UNEYL制造商：NXP（恩智浦半导体）功能总体简述: MOSFET N-CH 30V SOT883系列: -FET 类型: MOSFET N 通道，金属氧化物FET 功能: 标准漏源极电压（Vdss）: 30V电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 1.4A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）: 250 毫欧 @ 1.4A，4.5V不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 950mV @ 250μA不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）: 2.7nC @ 4.5V不同 Vds 时的输入电容（Ciss）: 89pF @ 15V功率 - 最大值: 350mW安装类型: 表面贴装封装/外壳: 3-XFDFN供应商器件封装: DFN1006B-3现在可以订购PMZB200UNEYL，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
