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PSMN2R0-30YLDX
制造厂商：NXP（恩智浦半导体）
类别封装：FET - 单，SC-100，SOT-669，4-LFPAK
技术参数：MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK
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技术参数详情：
NXP恩智浦完整型号: PSMN2R0-30YLDX制造商：NXP（恩智浦半导体）功能总体简述: MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK系列: -FET 类型: MOSFET N 通道，金属氧化物FET 功能: 逻辑电平栅极，4.5V 驱动漏源极电压（Vdss）: 30V电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 100A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）: 2 毫欧 @ 25A，10V不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 2.2V @ 1mA不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）: 46nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容（Ciss）: 2969pF @ 15V功率 - 最大值: 142W安装类型: *封装/外壳: SC-100，SOT-669，4-LFPAK供应商器件封装: LFPAK56，Power-SO8现在可以订购PSMN2R0-30YLDX，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
