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PSMN7R8-120PSQ
制造厂商：NXP（恩智浦半导体）
类别封装：单端场效应管，TO-262-3
技术参数：MOSFET N-CH 120V 70A TO-220AB
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技术参数详情：
NXP恩智浦完整型号：PSMN7R8-120PSQ制造商：NXP（恩智浦半导体）描述：MOSFET N-CH 120V 70A TO-220AB系列：-FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物FET 功能：标准漏源极电压 (Vdss)：120V电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：70A（Tc）不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：7.9 毫欧 @ 25A， 10V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 1mA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：167nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：9473pF @ 60V功率 - 最大值：349W安装类型：通孔封装/外壳：TO-262-3，长引线，I2Pak，TO-262AA供应商器件封装：TO-262-3现在可以订购PSMN7R8-120PSQ，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
