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PSMN8R5-100PSQ
制造厂商：NXP（恩智浦半导体）
类别封装：单端场效应管，TO-220AB
技术参数：MOSFET N-CH 100V 100A TO-220
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技术参数详情：
NXP恩智浦完整型号：PSMN8R5-100PSQ制造商：NXP（恩智浦半导体）描述：MOSFET N-CH 100V 100A TO-220系列：-FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物FET 功能：标准漏源极电压 (Vdss)：100V电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：100A（Tj）不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：8.5 毫欧 @ 25A，10V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 1mA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：111nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：5512pF @ 50V功率 - 最大值：263W安装类型：通孔封装/外壳：TO-220-3供应商器件封装：TO-220AB现在可以订购PSMN8R5-100PSQ，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
