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PUMD9,135
制造厂商：NXP（恩智浦半导体）
类别封装：阵列﹐预偏压式晶体管，6-TSSOP
技术参数：TRANS PREBIAS NPN/PNP 6TSSOP
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技术参数详情：
NXP恩智浦完整型号：PUMD9,135制造商：NXP（恩智浦半导体）描述：TRANS PREBIAS NPN/PNP 6TSSOP系列：-晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100mA电压 - 集射极击穿（最大值）：50V电阻器 - 基底 (R1) (Ω)：10k电阻器 - 发射极基底 (R2) (Ω)：47k不同 Ic、Vce 时的 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：100 @ 5mA，5V不同 Ib、Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）：100mV @ 250μA，5mA电流 - 集电极截止（最大值）：1μA频率 - 跃迁：-功率 - 最大值：300mW安装类型：表面贴装封装/外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363供应商器件封装：6-TSSOP现在可以订购PUMD9,135，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
